芯片制造過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生顆粒、互聯(lián)、靜電損傷等工藝缺陷。以芯片前道制程為例， 其具體缺陷包括：空氣中的分子污染或由環(huán)境引起的有機(jī)物或無(wú)機(jī)物顆粒；工藝過(guò) 程引起的劃痕、裂紋和顆粒、覆蓋層缺陷和應(yīng)力；在從掩模到晶片的圖形轉(zhuǎn)移過(guò)程 中，由于設(shè)計(jì)偏差導(dǎo)致的布局和關(guān)鍵尺寸的偏差和變化；原子通過(guò)層和半導(dǎo)體散裝 材料的擴(kuò)散等。 隨著工藝節(jié)點(diǎn)尺寸降低