半導(dǎo)體工藝制程越來(lái)越復(fù)雜，檢測(cè)設(shè)備愈發(fā)重要。隨摩爾定律的進(jìn)一步發(fā)展，半導(dǎo)體芯片 晶體管密度越來(lái)越高，相關(guān)產(chǎn)品復(fù)雜度及集成度呈現(xiàn)指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)。新應(yīng)用需求驅(qū)動(dòng)了制程微縮 和三維結(jié)構(gòu)的升級(jí)，使得工藝步驟大幅提升，成熟制程（以 45nm 為例）工藝步驟數(shù)大約需要 430 道，到了先進(jìn)制程（以 5nm 為例）將會(huì)提升至 1250 道，工藝步驟將近提升了 3 倍；結(jié)構(gòu) 上來(lái)看包括 GAAFET、MRAM 等新一代的半導(dǎo)體工藝都是越來(lái)越復(fù)雜

半導(dǎo)體檢測(cè)試驗(yàn)是一項(xiàng)非常重要的工序，它用于檢測(cè)半導(dǎo)體產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性。在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，一些常見(jiàn)的半導(dǎo)體檢測(cè)方法包括電測(cè)試、封裝測(cè)試和可靠性測(cè)試等。這些測(cè)試方法能夠幫助廠(chǎng)商及時(shí)發(fā)現(xiàn)產(chǎn)品缺陷和故障，以確保半導(dǎo)體產(chǎn)品達(dá)到預(yù)期的性能和可靠性要求。

電子器件的許多重要參數(shù)與電阻率及其分布的均勻性有密切的關(guān)系，例如二極管的反向飽和電流，晶 體管的飽和壓降和放大倍數(shù) β 等，都直接與硅單晶的電阻率有關(guān)。因此器件的電阻率測(cè)試已經(jīng)成為芯片加 工中的重要工序，對(duì)其均勻性的控制和準(zhǔn)確的測(cè)量直接關(guān)系將來(lái)能否制造出性能更優(yōu)功率器件。

半導(dǎo)體設(shè)備分類(lèi)由半導(dǎo)體制造工藝衍生而來(lái)，從工藝角度看，主要可以分為：光刻、刻蝕、薄膜沉積、質(zhì)量控制、清洗、CMP、離子注入、氧化等環(huán)節(jié)。傳統(tǒng)的集成電路工藝主要分為前道和后道，隨著集成電路行業(yè)的不斷發(fā)展進(jìn)步，后道封裝技術(shù)向晶圓級(jí)封裝發(fā)展，從而衍生出先進(jìn)封裝工藝。先進(jìn)封裝工藝指在未切割的晶圓表面通過(guò)制程工藝以實(shí)現(xiàn)高密度的引腳接觸，實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)級(jí)封裝以及 2.5/3D 等集成度更高、尺度更小的器件的生產(chǎn)制造。鑒于此，集成電路工藝進(jìn)一步細(xì)分為前道制程、中道先進(jìn)封裝和后道封裝測(cè)試。